[華邦電擴產及製程提升雙軌並進][DIGITIMES][2018-07-30]

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受惠價格上揚及產能增加帶動，記憶體廠華邦電2018年第2季稅後淨利達新台幣22.58億元，較2017年同期倍增，華邦電總經理詹東義指出， 2大產品線DRAM、Flash於2018年下半將穩定發展；且新產能將在2019年初陸續到位，並成為未來2年貢獻營運成長的動能，並看好華邦從2018年一路旺到2020年。

詹東義表示，由於DRAM應用需求增加，2018年上半DRAM業務維持穩定，預期下半年利基型記憶體市況也將穩健成長，透過整體投片量持續增加，DRAM產能也略有增加；至於NOR Flash部分，他也指出，儘管第1季市場一度出現季節性調節和庫存調整，但需求已在第2季出現反彈，故整體需求供應從第2季開始趨於平衡，至於SLC NAND Flash則呈現強勁需求，預計下半年NOR Flash的供需平衡。

為了配合未來2年市場需求的成長，詹東義表示，近2年陸續共投資約新台幣350~400億元，主要用於中科廠的投片及製程提升，故台中廠12吋的月產能將從現有的4.4萬片達到5.4萬片，成長幅度逾2成，而新增加的產能將會分配給DRAM與Flash，不過5.4萬片將是台中廠空間發揮的極限，接下來擴產需求將會交由高雄路竹廠接棒。

除了新增產能外，詹東義表示，華邦電也將繼續朝新的技術發展，在DRAM的部分，2018年的重頭戲會全力進入自主研發技術38奈米的大量生產，第4季開始導入25奈米量產，明年將由25奈米逐步取代38奈米，進一步提升位元產出的速度。

針對Flash的部分，詹東義指出，近來SLC NAND Flash的市場需求成長速度非常的快，目前公司主推的許多新產品，包括車用等級的SLC NAND Flash，serial NAND Flash以及1.2V SPI Flash，其中1.2V SPI Flash應用在物聯網的產品。

華邦電先前也公布將於南科高雄園區大舉斥資逾3,000億元建新廠，目前已按照進度進行中，但目前董事會仍尚未通過新的資本支出案，而華邦電子董事長焦佑鈞曾表示，新廠希望9月動土，預計將於2020年裝機。

詹東義認為，由於在產能增加以及製程提升下，預見華邦電將可看到快速成長的動能，並支持未來2019年~2020年的業務成長，不論是生意及實力都會快速成長，而近期的美中貿易戰的影響估計仍有限，要觀察是否影響長期的市場需求。

華邦電子第2季獲利攀高，每股純益0.54元，累計2018年上半歸屬母公司淨利為37.26億元，每股純益為0.94元。...

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DRAM、Flash受媒體精緻化影響,需求擴大.